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SEMITOP |
SEMITOP家簇包括晶闸管/二极管模块和IGBT模块，CIB模块以及MOSFET模块。在热设计方面要求高，高可靠性，集成度高，以及费用低的要求的应用中，SEMITOP是最好的选择。在SEMITOP和PCB的连接方面，它有一些固定的针引脚可以焊接在PCB上，电流范围是10A-200A，而电压等级有600V/1200V。SEMITOP的压接技术和单螺丝固定方式保证了比TO封装的器件有更低的热阻Rth(j-s) ，并且它良好的机械压接保证了SEMITOP有更好的功率循环能力和更高的可靠性。IGBT/MOSFET模块可用于变频器，开关，开关电源，UPS，双PFC和DC伺服驱动。  |
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SEMITOP® 4
V(CES):600 V I(C):75 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):600 V I(Cnom):75 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2
V(CES):600 V I(C):15 A 净重: 0.021 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 4
V(CES):1200 V I(C):75 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):600 V I(C):30 A 净重: 0.029 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2
V(CES):600 V I(C):60 A 净重: 0.021 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 4
V(CES):1200 V I(C):50 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):1600 V I(C):96 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2
V(CES):1200 V I(C):75 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2
V(CES):600 V I(C):30 A 净重: 0.021 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2 IGBT module
V(CES):1200 V I(C):35 A 净重: 0.021 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 2
V(CES):600 V I(C):50 A 净重: 0.029 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 4
V(CES):600 V I(C):50 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):1200 V I(C):8 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 4
V(CES):1200 V I(C):50 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):1200 V I(C):25 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):1200 V I(Cnom):100 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 4
V(CES):600 V I(C):150 A 净重: 0.06 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):600 V I(Cnom):150 A 净重: 0.03 千克 原产国: 意大利 |
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SEMITOP® 3
V(CES):600 V I(C):90 A 净重: 0.029 千克 原产国: 意大利 |
