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SEMIX |
IGBT/MOSFET模块有多种优势,如低电感封装设计,高绝缘耐压值以及广泛的客户订制化的解决方案和封装类型。 |
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SEMiX® 2s Trench IGBT Modules
V(CES):600 V I(C):400 A 净重: 0.236 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 1s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):150 A 净重: 0.15 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 33c Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):225 A 净重: 0.882 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):450 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
V(CES):1700 V I(C):450 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 13 Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):100 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
V(CES):1700 V I(C):450 A 净重: 0.29 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 1s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):150 A 净重: 0.15 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 4s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):600 A 净重: 0.39 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 33c Trench IGBT Modules
V(CES):1700 V I(C):300 A 净重: 0.882 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s
V(CES):1200 V I(C):450 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s
V(CES):1700 V I(C):450 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 3s Trench IGBT Modules
V(CES):600 V I(C):600 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 13
V(CES):1200 V I(C):100 A 净重: 0.289 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 2s
V(CES):1700 V I(C):300 A 净重: 0.236 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 2s Trench IGBT Modules
V(CES):600 V I(C):300 A 净重: 0.236 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 4s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):400 A 净重: 0.39 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 2s
V(CES):1700 V I(C):200 A 净重: 0.236 千克 原产国: 斯洛伐克
Datasheet
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SEMiX® 2s Trench IGBT Modules
V(CES):1200 V I(C):300 A 净重: 0.236 千克 原产国: 斯洛伐克
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SEMiX® 3p shunt Trench IGBT Modules
净重: 0.3 千克 原产国: 德国
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